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          圖片信息
          MCB60I1200TZ-TUB圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):MCB60I1200TZ-TUB
        • 原始制造廠商:IXYS
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載MCB60I1200TZ-TUB的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):MCB60I1200TZ-TUB
        • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
        • 描述:SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:-
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
        • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):90A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):160nC @ 20V
        • Vgs(最大值):+20V,-5V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2790pF @ 1000V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):-
        • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 器件封裝:TO-268AA(D3Pak-HV)
        • MCB60I1200TZ-TUB均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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