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圖片信息
QJD1210010圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:QJD1210010
  • 原始制造廠商:Powerex
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載QJD1210010的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:QJD1210010
  • 制造商:Powerex Inc.
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:碳化硅(SiC)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):100A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):25 毫歐 @ 100A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):500nC @ 20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):10200pF @ 800V
  • 功率-最大值:1080W
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:模塊
  • QJD1210010均從Powerex代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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