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          圖片信息
          SP8M3FU6TB1圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):SP8M3FU6TB1
        • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SP8M3FU6TB1
        • 制造商:Rohm Semiconductor
        • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 產(chǎn)品系列:-
        • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        • FET類型:N 和 P 溝道
        • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
        • 漏源電壓(Vdss):30V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):5A(Ta),4.5A(Ta)
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):51毫歐 @ 5A,10V,56毫歐 @ 4.5A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 5V,8.5nC @ 5V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V,850pF @ 10V
        • 功率-最大值:2W(Ta)
        • 工作溫度:150°C
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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