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        • 深圳市南皇電子有限公司長期提供SISF06DN-T1-GE3(品牌: Vishay)充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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          圖片信息
          SISF06DN-T1-GE3圖片
          基本技術信息:
        • 電子器件型號:SISF06DN-T1-GE3
        • 原始制造廠商:Vishay,威世
        • 技術標準參數(shù):COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
        • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 點擊此處下載SISF06DN-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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        • 技術參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號:SISF06DN-T1-GE3
        • 制造商:Vishay Siliconix
        • 描述:COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
        • FET功能:標準
        • 漏源電壓(Vdss):30V
        • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):28A(Ta),101A(Tc)
        • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):4.5 歐姆 @ 7A,10V
        • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA
        • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V
        • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2050pF @ 15V
        • 功率-最大值:5.2W(Ta),69.4W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 封裝:PowerPAK? 1212-8SCD
        • SISF06DN-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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