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          Kioxia宣布推出新一代256GB和512GB UFS 3.1版嵌入式閃存設備的樣品

          鎧俠 (Kioxia,原東芝半導體Toshiba)今天宣布推出新一代256GB和512GB UFS 3.1版嵌入式閃存設備的樣品。新產(chǎn)品封裝高度分別為0.8和1.0毫米,隨機讀取性能提高約30%,隨機寫入性能提高約40%[1],相比前代產(chǎn)品更薄[2]、速度更快。鎧俠的新型UFS設備采用該公司的第五代BiCS FLASH™ 3D高性能閃存,面向包括高端智能手機在內(nèi)的各種移動應用。

           

          很多采用嵌入式閃存的應用中,除了對功耗和空間敏感之外,仍然需要更高的性能和存儲密度,因此,UFS逐漸成為首選解決方案。從總?cè)萘康慕嵌葋砜矗ce-MMC相比,UFS占絕大部分的需求。據(jù)Forward Insights[3]的調(diào)查結(jié)果顯示,在全球UFS和e-MMC GB的總體需求中,今年UFS的需求量幾乎達到了70%,而且這一數(shù)字還將繼續(xù)增長。

           

          新的UFS 256GB和512GB設備包括以下改進:

           

          隨機讀取性能增加約30%,隨機寫入性能增加約40%。

          Host Performance Booster(HPB)2.0版:利用主機端內(nèi)存存儲部分邏輯物理轉(zhuǎn)換表,從而提高隨機讀取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址塊的訪問,而HPB 2.0版支持更大范圍的訪問,可進一步提高隨機讀取性能。

          更薄的封裝,256GB高度僅為0.8毫米。

          [1] 與鎧俠上一代256/512GB UFS相比。

          [2] 在256GB存儲密度條件下,與鎧俠上一代256GB UFS相比。

          [3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度(2021年)

           

          讀寫速度可能因主機設備、讀寫條件和文件大小而有所不同。

           

          在提及鎧俠產(chǎn)品時:產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)存芯片的密度來確定的,而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量。由于存在開銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式化信息、壞塊和其他限制條件,用戶可用容量將會減少,并且還可能因主機設備和應用程序而有所不同。詳細信息請參閱適用的產(chǎn)品規(guī)格說明。1KB=2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。

           

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          更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2025年9月13日更新)
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