氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業(yè)領導者 Navitas Semiconductor 宣布，大功率 GaN 功率 IC 樣品現(xiàn)已可用于首批全球數(shù)據(jù)中心、太陽能和電動汽車 (EV) 客戶的時間。
Navitas GaNFast™ IC 于三年前首次向移動客戶推出，并已成為這些市場的主流顛覆性力量，為具有超輕量和小型化外形的移動設備提供前所未有的高效和超快速充電。現(xiàn)在，這種突破性的 GaN 功率 IC 技術——唯一一個單片集成驅動、控制、保護和電源的 GaN 半導體平臺——首次可用于在 2kW 至 20kW 功率范圍內(nèi)運行的應用，包括數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器和電動汽車電力電子。這一發(fā)展是從傳統(tǒng)硅升級到下一代 GaN 半導體到“電氣化我們的世界”以及從化石燃料過渡到清潔電力應用的基礎，并影響高達 2.6 噸/年的二氧化碳2到 2050 年的排放量。
GaN 是下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源和驅動以及保護和控制，以提供簡單、小巧、快速和高效的性能。新產(chǎn)品針對每個大功率市場進行了優(yōu)化，具有特性、功能和功率升級，成為真正的 GaNFast 專用集成電路。
“Navitas Engineering 團隊再次按時交付了高性能 GaN 功率 IC，推動了我們的市場擴張，”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene Sheridan 說�！斑@是我們在向投資者的財務路線圖中概述的道路上的又一成功步驟，從我們在 20W 到 300W 移動快速充電器市場的排名第一的位置擴展到高功率 2kW 到 20kW 以上的應用。”
新產(chǎn)品是經(jīng)過驗證的 650/800V GaNFast 平臺的功率升級、熱增強版本，出貨量超過 3000 萬臺，報告的現(xiàn)場故障為零。Navitas 獨特的專有 GaNFast 集成技術具有內(nèi)置、快速和準確的過溫、過流和 ESD 保護。
大功率客戶對 GaN 和 Navitas 的集成方法給予了響亮的認可，包括：
數(shù)據(jù)中心的Compuware：“GaN 是一項突破性的新技術。Navitas [是] 優(yōu)秀的合作伙伴，擁有行業(yè)領先的 GaN IC�！� Navitas 最近宣布在杭州建立一個專門的數(shù)據(jù)中心設計中心，并估計與典型的傳統(tǒng)硅解決方案相比，將數(shù)據(jù)中心從硅升級到 GaN 將節(jié)省高達 40% 的能源，并為行業(yè)節(jié)省高達 1.9B 美元/年的電力成本。
太陽能中的Enphase Energy：“這是硅之路的盡頭。GaN 提供 >10 倍的頻率和顯著的成本優(yōu)勢。” Navitas 估計，GaN 功率 IC 可使微型逆變器的成本降低 25%，節(jié)能高達 40%，與硅相比，安裝成本回報率提高了 10% 以上。
EV 中的Brusa：“Navitas 的優(yōu)勢在于駕駛簡單、高速、可靠性和緊湊的外形尺寸。” Navitas 估計，GaNFast 產(chǎn)品可提供 3 倍的充電速度和 70% 的節(jié)能，從而使續(xù)航里程延長 5% 或電池成本降低 5%。采用 GaN 可以將全球電動汽車的采用速度最多加快 3 年，到 2050年將道路部門的 CO 2排放量減少 20%。
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