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          圖片信息
          DMT10H017LPD-13圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:DMT10H017LPD-13
        • 原始制造廠商:Diodes,美臺半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號:DMT10H017LPD-13
        • 制造商:Diodes Incorporated
        • 描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:2 N-通道(雙)
        • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
        • 漏源電壓(Vdss):100V
        • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):54.7A(Tc)
        • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):17.4 毫歐 @ 17A,10V
        • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
        • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):28.6nC @ 10V
        • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1986pF @ 50V
        • 功率-最大值:2.2W(Ta),78W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 封裝:8-PowerTDFN
        • DMT10H017LPD-13均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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