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圖片信息
IS42RM32200M-6BLI圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IS42RM32200M-6BLI
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術標準參數(shù):IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
  • 產品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS42RM32200M-6BLI的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產品型號:IS42RM32200M-6BLI
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
  • 產品系列:存儲器
  • 包裝:托盤
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:DRAM
  • 技術:SDRAM - 移動
  • 存儲容量:64Mb(2M x 32)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:166MHz
  • 寫周期時間-字,頁:-
  • 訪問時間:5.5ns
  • 電壓-供電:2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產品封裝:90-TFBGA
  • IS42RM32200M-6BLI均從ISSI代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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