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圖片信息
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術標準參數:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
  • 產品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS61NLP12836EC-200B3LI-TR的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
  • 產品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:SRAM
  • 技術:SRAM - 同步,SDR
  • 存儲容量:4.5Mb(128K x 36)
  • 存儲器接口:并聯
  • 時鐘頻率:200MHz
  • 寫周期時間-字,頁:-
  • 訪問時間:3.1ns
  • 電壓-供電:3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產品封裝:165-TBGA
  • IS61NLP12836EC-200B3LI-TR均從ISSI代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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