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          圖片信息
          IXTA6N100D2-TRL圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):IXTA6N100D2-TRL
        • 原始制造廠商:IXYS
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載IXTA6N100D2-TRL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXTA6N100D2-TRL
        • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
        • 描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:-
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):1000V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6A(Tj)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):0V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.2 歐姆 @ 3A,0V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):95nC @ 5V
        • Vgs(最大值):±20V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2650pF @ 25V
        • FET功能:耗盡模式
        • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 器件封裝:TO-263(IXTA)
        • IXTA6N100D2-TRL均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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