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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IXYT30N65C3H1HV

原始制造廠商：IXYS

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 60A 270W TO268HV

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXYT30N65C3H1HV

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）

描述：IGBT 650V 60A 270W TO268HV

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：PT

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：118A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，30A

功率-最大值：270W

開關(guān)能量：1mJ（開），270μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：44nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：21ns/75ns

測(cè)試條件：400V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：120ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

IXYT30N65C3H1HV均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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