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          圖片信息
          BSO303P H圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:BSO303P H
        • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管陣列
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Infineon英飛凌公司完整型號:BSO303P H
        • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
        • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
        • 系列:OptiMOS?
        • FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
        • FET 功能:邏輯電平門
        • 漏源極電壓 (Vdss):30V
        • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7A
        • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,10V
        • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA
        • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 10V
        • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2678pF @ 25V
        • 功率 - 最大值:2W
        • 安裝類型:表面貼裝
        • 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
        • 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8
        • BSO303P H均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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