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圖片信息
IKD10N60RAATMA2圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IKD10N60RAATMA2
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術標準參數:IGBT 600V 20A 150W TO252-3
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IKD10N60RAATMA2的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:IKD10N60RAATMA2
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:IGBT 600V 20A 150W TO252-3
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:TrenchStop?
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:溝道
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):30A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:150W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:64nC
  • 25°C時Td(開/關)值:14ns/192ns
  • 測試條件:400V,10A,23 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):62ns
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • IKD10N60RAATMA2均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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