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          圖片信息
          IPI80N06S4L-07圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):IPI80N06S4L-07
        • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
        • 點(diǎn)擊此處下載IPI80N06S4L-07的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPI80N06S4L-07
        • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
        • 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
        • 系列:OptiMOS?
        • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        • FET 功能:邏輯電平門
        • 漏源極電壓 (Vdss):60V
        • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)
        • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 80A,10V
        • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40μA
        • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):75nC @ 10V
        • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5680pF @ 25V
        • 功率 - 最大值:79W
        • 安裝類型:通孔
        • 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
        • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3
        • IPI80N06S4L-07均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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          Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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