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          圖片信息
          SPP04N50C3HKSA1圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):SPP04N50C3HKSA1
        • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載SPP04N50C3HKSA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SPP04N50C3HKSA1
        • 制造商:Infineon Technologies
        • 描述:MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:CoolMOS?
        • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        • FET類(lèi)型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):560V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):950 毫歐 @ 2.8A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V
        • Vgs(最大值):±20V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):470pF @ 25V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類(lèi)型:通孔
        • 器件封裝:PG-TO220-3-1
        • SPP04N50C3HKSA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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          深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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