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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APT33GF120LRDQ2G

原始制造廠商：Microchip，微芯科技

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 1200V 64A 357W TO264

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APT33GF120LRDQ2G

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT 1200V 64A 357W TO264

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：64A

電流-集電極脈沖(Icm)：75A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，25A

功率-最大值：357W

開關(guān)能量：1.315mJ（開），1.515mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：170nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：14ns/185ns

測試條件：800V，25A，4.3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-264-3，TO-264AA

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