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圖片信息
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
  • 原始制造廠商:Micron,美光半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:存儲器
  • 點擊此處下載MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
  • 制造商:Micron Technology Inc.
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:卷帶(TR)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 存儲器類型:非易失
  • 存儲器格式:閃存
  • 技術(shù):閃存 - NAND
  • 存儲容量:1Gb(128M xMT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR均從Micron代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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