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          深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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          圖片信息
          APT13GP120BDQ1G圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:APT13GP120BDQ1G
        • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 41A 250W TO247
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
        • 點擊此處下載APT13GP120BDQ1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Microsemi美高森美完整型號:APT13GP120BDQ1G
        • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
        • 描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247
        • 系列:POWER MOS 7
        • IGBT 類型:PT
        • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
        • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):41A
        • Current - Collector Pulsed (Icm):50A
        • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.9V @ 15V,13A
        • 功率 - 最大值:250W
        • Switching Energy:115μJ (開), 165μJ (關(guān))
        • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
        • Gate Charge:55nC
        • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:9ns/28ns
        • Test Condition:600V, 13A, 5 歐姆, 15V
        • 反向恢復(fù)時間 (trr):-
        • 封裝/外殼:TO-247-3
        • 安裝類型:通孔
        • 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B]
        • APT13GP120BDQ1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
        • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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