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          圖片信息
          APT35GP120J圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):APT35GP120J
        • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 64A 284W SOT227
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:IGBT模塊
        • 點(diǎn)擊此處下載APT35GP120J的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Microsemi美高森美完整型號(hào):APT35GP120J
        • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
        • 描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227
        • 系列:POWER MOS 7
        • IGBT 類型:PT
        • 配置:單一
        • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
        • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64A
        • 功率 - 最大值:284W
        • 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A
        • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
        • 不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):3.24nF @ 25V
        • 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
        • NTC 熱敏電阻:無
        • 安裝類型:底座安裝
        • 封裝/外殼:ISOTOP
        • 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP
        • APT35GP120J均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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