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          圖片信息
          APT6017LLLG圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:APT6017LLLG
        • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Microsemi美高森美完整型號:APT6017LLLG
        • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
        • 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
        • 系列:POWER MOS 7
        • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
        • 漏源極電壓 (Vdss):600V
        • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35A(Tc)
        • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):170 毫歐 @ 17.5A,10V
        • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
        • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):100nC @ 10V
        • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4500pF @ 25V
        • 功率 - 最大值:500W
        • 安裝類型:通孔
        • 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
        • 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L]
        • APT6017LLLG均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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