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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：MC33GD3100A3EKR2

原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT GATE DRIVE IC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：MC33GD3100A3EKR2

制造商：NXP USA Inc.

描述：IGBT GATE DRIVE IC

產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器

包裝：卷帶（TR）

系列：-

零件狀態(tài)：有源

驅(qū)動(dòng)配置：半橋

通道類型：單路

驅(qū)動(dòng)器數(shù)：1

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓-供電：3.3V

邏輯電壓?-VIL，VIH：-

電流-峰值輸出（灌入，拉出）：15A，15A

輸入類型：-

高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：-

上升/下降時(shí)間（典型值）：-

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：32-BSSOP（0.295，7.50mm 寬）

MC33GD3100A3EKR2均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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