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          圖片信息
          PHKD3NQ10T圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):PHKD3NQ10T
        • 原始制造廠商:Nexperia,安世半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):FET,MOSFET - 陣列-晶體管
        • 點(diǎn)擊此處下載PHKD3NQ10T的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Nexperia公司器件型號(hào):PHKD3NQ10T,518
        • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
        • 功能總體描述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
        • 所屬類(lèi)別:FET,MOSFET - 陣列-晶體管
        • 系列:TrenchMOS??
        • 零件狀態(tài):在售
        • FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
        • FET 功能:邏輯電平門(mén)
        • 漏源極電壓(Vdss):100V
        • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A
        • 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 1.5A,10V
        • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
        • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V
        • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 20V
        • 功率 - 最大值:2W
        • 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
        • 封裝形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
        • Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:8-SO
        • PHKD3NQ10T的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):10000 PCS
        • PHKD3NQ10T均從Nexperia代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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