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          圖片信息
          FQPF11P06圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):FQPF11P06
        • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載FQPF11P06的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):FQPF11P06
        • 制造商:ON Semiconductor
        • 描述:MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:QFET?
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:P 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):60V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):8.6A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):175 毫歐 @ 4.3A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V
        • Vgs(最大值):±25V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 25V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):30W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
        • 安裝類型:通孔
        • 器件封裝:TO-220F
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