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圖片信息
NSBA114EDXV6T5G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NSBA114EDXV6T5G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 點擊此處下載NSBA114EDXV6T5G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NSBA114EDXV6T5G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:2 個 PNP 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):10 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:500mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
  • NSBA114EDXV6T5G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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