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          圖片信息
          STB200NF04L-1圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):STB200NF04L-1
        • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載STB200NF04L-1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STB200NF04L-1
        • 制造商:STMicroelectronics
        • 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:STripFET? II
        • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):40V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):120A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.8 毫歐 @ 50A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):90nC @ 4.5V
        • Vgs(最大值):±16V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):6400pF @ 25V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
        • 安裝類型:通孔
        • 器件封裝:I2PAK
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