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          圖片信息
          K4B4G1646D-BMMA圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:K4B4G1646D-BMMA
        • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
        • 技術(shù)標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
        • 產(chǎn)品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
        • 點擊此處下載K4B4G1646D-BMMA的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 三星芯片型號:K4B4G1646D-BMMA
        • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
        • 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
        • 容量:4Gb
        • 架構(gòu):256M x 16
        • 速率:1600 Mbps
        • 工作電壓:1.35 V
        • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
        • 封裝:96FBGA
        • 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
        • K4B4G1646D-BMMA均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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