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          圖片信息
          K4FHE3D4HM-MFCJ圖片
          基本技術信息:
        • 電子器件型號:K4FHE3D4HM-MFCJ
        • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
        • 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
        • 產品應用分類:低功耗雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
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        • 技術參數詳解:
        • 三星芯片型號:K4FHE3D4HM-MFCJ
        • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
        • 功能類別:低功耗雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
        • 容量:24Gb
        • 架構:x32
        • 速率:3733 Mbps
        • 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
        • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
        • 封裝:200FBGA
        • 產品狀態(tài):批量生產
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