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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：2SK3863(TE16L1,Q)

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 5A DP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號：2SK3863(TE16L1,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 500V 5A DP

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：500V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.5 歐姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：550pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：DP

2SK3863(TE16L1,Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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