深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SSM6L35FE(TE85L,F)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SSM6L35FE(TE85L,F) - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SSM6L35FE(TE85L,F)

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：SSM6L35FE(TE85L,F)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

系列：-

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180mA，100mA

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 50mA，4V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）

SSM6L35FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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