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          圖片信息
          TK16E60W,S1VX圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):TK16E60W,S1VX
        • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):TK16E60W,S1VX
        • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
        • 描述:MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:DTMOSIV
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):600V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):15.8A(Ta)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):190 毫歐 @ 7.9A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.7V @ 790μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V
        • Vgs(最大值):±30V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1350pF @ 300V
        • FET功能:超級(jí)結(jié)
        • 功率耗散(最大值):130W(Tc)
        • 工作溫度:150°C(TJ)
        • 安裝類型:通孔
        • 器件封裝:TO-220
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