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          圖片信息
          TK28N65W,S1F圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號:TK28N65W,S1F
        • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號:TK28N65W,S1F
        • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
        • 描述:MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
        • 產(chǎn)品系列:DTMOSIV
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):650V
        • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):27.6A(Ta)
        • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
        • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):110 毫歐 @ 13.8A,10V
        • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.6mA
        • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):75nC @ 10V
        • Vgs(最大值):±30V
        • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3000pF @ 300V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):230W(Tc)
        • 工作溫度:150°C(TJ)
        • 安裝類型:通孔
        • 器件封裝:TO-247
        • TK28N65W,S1F均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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