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圖片信息
TPC8118(TE12L,Q,M)圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):TPC8118(TE12L,Q,M)
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載TPC8118(TE12L,Q,M)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPC8118(TE12L,Q,M)
  • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):13A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7 毫歐 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:-
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
  • TPC8118(TE12L,Q,M)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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