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        • 深圳市南皇電子有限公司長期提供TPC8A03-H(TE12LQM)(品牌: Toshiba)充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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          圖片信息
          TPC8A03-H(TE12LQM)圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):TPC8A03-H(TE12LQM)
        • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
        • 點(diǎn)擊此處下載TPC8A03-H(TE12LQM)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPC8A03-H(TE12LQM)
        • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
        • 描述:MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B
        • 系列:-
        • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        • FET 功能:邏輯電平門
        • 漏源極電壓 (Vdss):30V
        • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):17A(Ta)
        • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 8.5A,10V
        • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
        • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):36nC @ 10V
        • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3430pF @ 10V
        • 功率 - 最大值:-
        • 安裝類型:表面貼裝
        • 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
        • 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)
        • TPC8A03-H(TE12LQM)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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