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          圖片信息
          SI4565ADY-T1-E3圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):SI4565ADY-T1-E3
        • 原始制造廠商:Vishay,威世
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 點(diǎn)擊此處下載SI4565ADY-T1-E3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SI4565ADY-T1-E3
        • 制造商:Vishay Siliconix
        • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        • 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
        • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        • FET類(lèi)型:N 和 P 溝道
        • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
        • 漏源電壓(Vdss):40V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6.6A,5.6A
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):39 毫歐 @ 5A,10V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):625pF @ 20V
        • 功率-最大值:3.1W
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
        • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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