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在 Insignis，我們的開發(fā)團隊專注于最大限度地降低功耗，以最大限度地提高可靠性和系統(tǒng)性能。

Insignis在成熟的工藝節(jié)點上生產，以利用：

其晶體管固有的穩(wěn)定 IDS 特性

較低的溫度敏感性

較新的工藝節(jié)點需要更復雜的片上電壓調節(jié)，以實現更嚴格的容差和更低的電壓。更嚴格的公差解決方案具有較低的轉換效率。

Insignis DRAM 經過優(yōu)化，可提供最可靠的產品和最長的生產壽命。一旦您選擇了 Insignis，您將永遠不需要對高風險工藝技術的后續(xù)模具收縮進行重新認證。

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