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          圖片信息
          IXRFSM18N50圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):IXRFSM18N50
        • 原始制造廠商:IXYS
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載IXRFSM18N50的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXRFSM18N50
        • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))-RF(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
        • 描述:MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:SMPD
        • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
        • 漏源電壓(Vdss):500V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):19A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):340 毫歐 @ 9.5A,20V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):6.5V @ 250μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V
        • Vgs(最大值):±20V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2250pF @ 400V
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):835W
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 器件封裝:16-SMPD
        • IXRFSM18N50均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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