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          高可靠性 GaN 半導體
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          高壓 GaN 半導體器件
          自 2007 年成立以來,Transphorm 取得了多項里程碑和行業(yè)第一,Transphorm 的創(chuàng)新正在推動電力電子技術(shù)超越硅的限制,以實現(xiàn)超過 99% 的效率、40% 的功率密度和 20% 的系統(tǒng)成本降低。
          GaN 革命的全球領(lǐng)導者
          在設(shè)計 Gen IV 時,Transphorm 的工程團隊借鑒了以前產(chǎn)品的生產(chǎn)量,加上對性能、可制造性和成本降低的持續(xù)推動,設(shè)計出一種具有極致簡單性和實質(zhì)性改進的新產(chǎn)品。
          第四代SuperGaN
          Transphorm 的第四代SuperGaN提供更平坦和更高的效率曲線,品質(zhì)因數(shù)提高了大約 10%,通過消除在高工作電流下對開關(guān)節(jié)點緩沖器的需求,提高了設(shè)計的簡單性
          關(guān)于Transphorm公司:
          Transphorm是怎樣的一家公司?Transphorm公司是一家全球半導體公司,以最高性能、最高可靠性的 GaN 器件引領(lǐng) GaN 革命,適用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。為確保這一點,Transphorm 部署了其獨特的垂直整合業(yè)務(wù)方法,在每個開發(fā)階段利用業(yè)界最有經(jīng)驗的 GaN 工程團隊:設(shè)計、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持。這種方法由擁有 1000 多項專利的業(yè)內(nèi)最大的 IP 組合之一提供支持,產(chǎn)生了業(yè)內(nèi)唯一符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標準的 GaN FET...
          在 USB PD 充電應(yīng)用中,Diodes 的 ACF 解決方案可以勝過傳統(tǒng)的反激式轉(zhuǎn)換器,并提供比諧振 LLC 半橋解決方案低得多的成本。...
          該套件將 Diodes 的高性能有源鉗位反激 (ACF) 控制器與 Transphorm 的具有輸入功率因數(shù)校正 (PFC) 的專利常關(guān)型 SuperGaN Gen IV...
          Transphorm有哪些電子元器件產(chǎn)品線?
        • 分立半導體
        • 4 kW 無橋圖騰柱 PFC 評估板
        • GaN
        • 4 kW PFC GaN 評估板
        • TP65H SuperGaN
        • 900 V 50 mΩ GaN FET
        • 隔離式柵極驅(qū)動器和高壓 GaN FET
        • TP65H035WSQA
        • 氮化鎵 (GaN) FET
        • 工具和資源
        • 可靠性的 GaN 器件
        • 開發(fā)板,套件,編程器
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          Transphorm熱賣產(chǎn)品(2025/9/18更新)
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