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          圖片信息
          TP65H480G4JSG-TR圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):TP65H480G4JSG-TR
        • 原始制造廠商:Transphorm
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 點(diǎn)擊此處下載TP65H480G4JSG-TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):TP65H480G4JSG-TR
        • 制造商:Transphorm
        • 描述:GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:-
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
        • 漏源電壓(Vdss):650V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):3.6A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):8V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):560 毫歐 @ 3.4A,8V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.8V @ 500μA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):8V @ 8nC
        • Vgs(最大值):±18V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):400V @ 760pF
        • FET功能:-
        • 功率耗散(最大值):13.2W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        • 安裝類型:表面貼裝型
        • 器件封裝:3-PQFN(5x6)
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