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          圖片信息
          IMZ120R045M1XKSA1圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):IMZ120R045M1XKSA1
        • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IMZ120R045M1XKSA1
        • 制造商:Infineon Technologies
        • 描述:SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
        • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
        • 產(chǎn)品系列:CoolSiC?
        • 零件狀態(tài):有源
        • FET類型:N 通道
        • 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
        • 漏源電壓(Vdss):1200V
        • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):52A(Tc)
        • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):15V
        • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):59 毫歐 @ 20A,15V
        • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA
        • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):52nC @ 15V
        • Vgs(最大值):+20V,-10V
        • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 800V
        • FET功能:電流檢測(cè)
        • 功率耗散(最大值):228W(Tc)
        • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
        • 安裝類型:通孔
        • 器件封裝:PG-TO247-4-1
        • IMZ120R045M1XKSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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