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          圖片信息
          IPB120N04S4-02圖片
          基本技術(shù)信息:
        • 電子器件型號(hào):IPB120N04S4-02
        • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
        • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
        • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
        • 點(diǎn)擊此處下載IPB120N04S4-02的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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        • 技術(shù)參數(shù)詳解:
        • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB120N04S4-02
        • 制造廠家名稱(chēng):Infineon Technologies
        • 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
        • 系列:OptiMOS?
        • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
        • 漏源極電壓 (Vdss):40V
        • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc)
        • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 100A,10V
        • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 110μA
        • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):134nC @ 10V
        • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):10740pF @ 25V
        • 功率 - 最大值:158W
        • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
        • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
        • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2
        • IPB120N04S4-02均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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