深圳市南皇電子有限公司長期提供SCT2H12NYTB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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SCT2H12NYTB - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SCT2H12NYTB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標準參數(shù)：SICFET N-CH 1700V 4A TO268

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SCT2H12NYTB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：SICFET N-CH 1700V 4A TO268

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1700V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.5 歐姆 @ 1.1A，18V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 410μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 18V

Vgs（最大值）：+22V，-6V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：184pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：44W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-268

SCT2H12NYTB均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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