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          圖片信息
          K4A8G165WB-BITD圖片
          基本技術信息:
        • 電子器件型號:K4A8G165WB-BITD
        • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
        • 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
        • 產(chǎn)品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
        • 點擊此處下載K4A8G165WB-BITD的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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        • 技術參數(shù)詳解:
        • 三星芯片型號:K4A8G165WB-BITD
        • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
        • 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
        • 容量:8Gb
        • 架構:512M x 16
        • 速率:2666 Mbps
        • 工作電壓:1.2 V
        • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
        • 封裝:96FBGA
        • 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
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