GSI Technology 的 LLDRAM 可達到以往只能通過 SRAM 實現(xiàn)的訪問速度。
GSI Technology 低延遲 DRAM 圖片GSI Technology 低延遲 DRAM (LLDRAM) 是高速存儲設備，設計用于網(wǎng)絡和電信應用中常見的高地址速率數(shù)據(jù)處理。8 組架構和低 tRC，達到以往只能通過 SRAM 實現(xiàn)的訪問速度。
特性
與 Micron RLDRAM® II 引腳和功能兼容
533 MHz DDR 操作（1.067 Gbps/引腳數(shù)據(jù)速率）
38.4 Gbps 峰值帶寬 (533 MHz 時鐘頻率下為 x36）
提供 x36、x18 和 x9 組織
八個內(nèi)部存儲區(qū)，用于并發(fā)操作和最大帶寬
更短的周期時間（533 MHz 時為 15 ns）
地址多路復用（提供非多路復用地址選項）
SRAM 型接口
可編程讀取延遲 (RL)、行循環(huán)時間和突發(fā)序列長度
均衡的讀寫延遲以優(yōu)化數(shù)據(jù)總線利用率
寫入命令的數(shù)據(jù)掩碼
差分輸入時鐘 (CK, CK)
差分輸入數(shù)據(jù)時鐘 (DKx, DKX)
片上 DLL 產(chǎn)生 CK 邊緣對齊的數(shù)據(jù)并輸出數(shù)據(jù)時鐘信號
數(shù)據(jù)有效信號 (QVLD)
32 ms 刷新（每個存儲體 8 K 刷新；每 32 ms 總共必須發(fā)出 64 K 刷新命令）
144 球 μBGA 封裝
HSTL I/O（1.5 V 或 1.8 V 標稱）
25 Ω 至 60 Ω 匹配阻抗輸出
2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 V 或 1.8 V VDDQ 輸入輸出
片內(nèi)端接 (ODT) RTT
商業(yè)和工業(yè)溫度
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