海力士半導體公司開始使用其領先的 0.10 微米工藝技術
海力士半導體公司（hynix ）今天宣布，將開始使用其領先的 0.10 微米工藝技術在其下一代 Golden Chip 平臺上開始批量生產。
使用其 0.10 微米金芯片工藝技術，海力士將主要專注于 512Mb DDR 和 512Mb DDR2 SDRAM 的生產，隨后將在 2003 年下半年推出 1Gb DDR2 SDRAM。海力士最初使用其 256Mb DDR SDRAM 來開發(fā)和評估其金芯平臺技術。“我們預計 0.10 微米工藝將占 2003 年海力士產量的近 20%，到 2004 年將達到 65%，”SK Hynix代理商海力士全球營銷副總裁 Farhad Tabrizi 說。
海力士目前的大部分生產都在使用其 Prime Chip .13 微米平臺。通過有效利用現有設備，Golden Chip 技術允許以最少的資本支出額外投資量產 0.10 微米技術產品。該公司估計，與競爭對手相比，使用其 0.10 微米技術將減少 50% 的總體投資需求，與 0.13 微米 Prime Chip 技術相比，每片晶圓的裸片數量將增加 40%，從而保持海力士的競爭力在成本和技術上的地位。
更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)（2025年8月10日更新）
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